首发了一条测试视频。
短短几个小时内，播放量就突破了千万，点赞量更是超过了百万。
视频选取了湾积电、格罗方德、联华电子和星源科技这四家芯片制造工厂生产的天工 A100T芯片，进行了一系列严格的测试。
在CPU性能测试中，天工 A100T处理器星源科技版的跑分中达到了61637分。
湾积电版本58193分。
格罗方德版本56279分。
联华电子55428分。
让人出乎意料的是，星源科技的性能跑分最高，比湾积电高了6%。
在功耗方面，星源科技HFOB结构的工艺先进性更是体现得淋漓尽致。
在持续高强度运行一小时后，星源科技生产的芯片功耗稳定在4.4瓦左右，机身温度为39摄氏度。
湾积电的芯片功耗则在5.2W左右，温度达到了 43摄氏度。
格罗方德和联华电子的芯片功耗更高，分别为5.6W和5.8W，机身温度也相应地达到了45摄氏度和46摄氏度。
看完测试视频的网友一脸茫然！
同一款处理器，差异有点大！
他们本以为星源科技刚成立没多久，工艺应该不成熟才对。
万万没想到，工艺水平最高的竟是星源科技！
这.不科学啊！
梁劲松见时机成熟，跟着发了一条图文格式的动态。
“星源科技在制造天工 A100T处理器时，采用了一种全新的晶体管结构，内部命名为Hybrid FinFET on Bulk架构，简称HFOB结构。
我们在不显著牺牲成本和良率的前提下，通过引入部分FinFET和Soi技术的优点，打造一个性能、功耗、密度全面超越传统28nm HKMG Planar技术的混合工艺，即混合体硅鳍式场效应晶体管架构。
对关键逻辑路径，如CPU、GPU核心，以及高漏电单元使用FinFET结构，这能极好地控制漏电流现象，允许工作电压从0.9V降至0.7V甚至更低，从而实现巨大的功耗优势。
对RF器件、IO器件、和非关键逻辑仍使用改良版本的Planar HKMG技术，不仅避免了为所有器件重新设计库和IP的巨大成本，还保留了模拟器件在Planar结构下的优秀性能。”
梁劲松见洋洋洒洒写了一大堆，看得
本章未完，请点击下一页继续阅读！